單發射光譜技術優化發射區實現熱激活延遲綠光OLED

主要內容

發光二極管（LED）的器件優化旨在有效地將注入的電荷轉換為發射光，LED中的發光層是電荷復合和發光的地方。發光層與器件效率和壽命密切相關，但由于發光層尺寸低于光學衍射極限，因此難以測量。研究團隊展示了一種基于單發射光譜的方法，該方法能夠以亞秒級時間分辨率對發射區進行測量。這引入了一種新的方法來研究和控制LED系統的發光層，并將其與器件性能相關聯。實驗測量了熱激活延遲熒光有機LED發射層所有發光電流密度，同時改變器件結構和老化。由于通過發射極的電子輸運是系統的電荷輸運瓶頸，因此發射區受到發射體摻雜的精細控制。猜想淬滅/退化機制與發射層變化、器件結構變化和老化有關。通過這些發現，研究團隊展示了在1000 cd m?2條件下具有4500小時T95超長壽命且具有20%外部量子效率的器件。其中Setfos模擬仿真軟件對優化后的裝置效率進行了仿真并模擬發射光譜。

產品推薦-Setfos模擬仿真軟件

Setfos用于各種類型太陽能電池（包括鈣鈦礦、有機、疊層、硅基電池等）、鈣鈦礦LED、OLED器件及相關光電材料性能的仿真系統，對器件設計、構建、光學性能、電學性能以及光電材料的性能進行模擬計算和優化。（點擊訪問）

文獻信息

A Thermally Activated Delayed Fluorescence Green OLED with 4500 h Lifetime and 20% External Quantum Efficiency by Optimizing the Emission Zone using a Single-Emission Spectrum Technique

Rossa Mac Ciarnáin,* Hin Wai Mo, Kaori Nagayoshi, Hiroshi Fujimoto, Kentaro Harada, Robert Gehlhaar, Tung Huei Ke, Paul Heremans, and Chihaya Adachi*