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      解析影響鈣鈦礦太陽能電池PLQY光致發光量子產率的因素

       更新時間:2025-08-20 點擊量:516

      鈣鈦礦太陽能電池的 PLQY(光致發光量子產率)本質上反映了光激發產生的電子 - 空穴對中,通過輻射復合(發光)非輻射復合(無發光能量損失) 的競爭關系:PLQY 越高,說明輻射復合占比越高,非輻射復合占比越低。因此,所有影響這兩種復合過程的因素,都會直接或間接影響 PLQY。


      具體可分為以下幾類:

      一、材料本征性質:決定復合機制的核心

        1. 缺陷態密度與類型

      • 缺陷的影響:鈣鈦礦材料中的缺陷(如空位、間隙原子、晶界缺陷等)是非輻射復合的主要中心。缺陷會捕獲載流子(電子或空穴),導致其通過非輻射路徑(如缺陷能級間的躍遷)釋放能量,而非以光子形式發射。

        • 例如:鉛空位(VPb)、碘間隙原子(Ii)等缺陷會形成深能級陷阱,顯著增強非輻射復合,導致 PLQY 下降;

        • 淺能級缺陷對非輻射復合的影響較弱,但若濃度過高,仍會降低 PLQY。


      • 缺陷來源:材料合成過程中的化學計量比失衡(如鉛鹽與有機胺鹽比例不當)、結晶過程中的動力學不穩定(如快速結晶導致晶粒無序)等,都會增加缺陷密度。


      2. 結晶度與晶粒質量

      • 高結晶度的鈣鈦礦薄膜通常具有更大的晶粒尺寸更少的晶界

        • 晶界處原子排列無序,易形成缺陷(如未配位的離子),是非輻射復合的 “熱點";

        • 大晶粒可減少晶界密度,降低載流子在晶界處的非輻射復合概率,從而提高 PLQY。

      • 反之,低結晶度薄膜(如含有大量非晶相或小晶粒)因晶界密集,PLQY 通常較低。


      3. 化學組分與stoichiometry(化學計量比)

      鈣鈦礦的典型化學式為ABX3(如MAPbI3)、(FAPbI3),A、B、X 位的元素比例直接影響缺陷形成:


      • 例如:PbI2過量會導致薄膜中殘留PbI2相,其與鈣鈦礦的界面易形成缺陷,促進非輻射復合;

      • A 位陽離子(如 MA?、FA?)比例失衡可能導致晶格畸變,增加缺陷密度,降低 PLQY。


        二、薄膜與界面質量:載流子復合的關鍵區域

      1. 表面缺陷與表面態

      鈣鈦礦薄膜的表面是缺陷*集中的區域之一(如表面未配位的 Pb2?離子、懸掛鍵等),這些表面缺陷會形成表面態,成為載流子非輻射復合的強中心:


      • 表面缺陷越多,載流子在表面的非輻射復合概率越高,PLQY 越低;

      • 例如:未鈍化的鈣鈦礦表面 PLQY 通常顯著低于體相,而通過表面鈍化(如用有機胺分子、無機鹽修飾)可減少表面缺陷,提升 PLQY。


      2. 界面能級匹配與載流子積累

      鈣鈦礦與電荷傳輸層(HTL/ETL,如Spiro-OMeTAD、TiO?)的界面若存在能級失配,會導致載流子在界面處積累:


      • 例如:若 HTL 的*高占據分子軌道(HOMO)高于鈣鈦礦的價帶頂,空穴難以從鈣鈦礦向 HTL 傳輸,導致空穴在界面積累,與電子發生非輻射復合;

      • 載流子積累會顯著增強非輻射復合,降低 PLQY(即使鈣鈦礦本體質量良好)。


      三、激發條件與環境因素:外部調控的影響

      1. 激發強度與載流子濃度

      • 低激發強度下:載流子濃度低,非輻射復合主要由缺陷主導(缺陷捕獲載流子),PLQY 隨激發強度升高而增加(缺陷被飽和);

      • 高激發強度下:載流子濃度過高,可能觸發俄歇復合(一種載流子 - 載流子間的非輻射復合,能量轉移給第三個載流子),導致 PLQY 隨激發強度升高而下降。


      2. 溫度

      溫度通過影響復合速率和缺陷活性調控 PLQY:


      • 低溫(如 77 K):非輻射復合的激活能較高,缺陷捕獲載流子的概率降低,輻射復合占比上升,PLQY 顯著提高;

      • 高溫(如 300 K 以上):熱激發使缺陷更易捕獲載流子,非輻射復合增強,同時俄歇復合速率隨溫度升高而加快,導致 PLQY 下降。


      3. 環境穩定性(水、氧、光照)

      鈣鈦礦材料對水、氧和光照敏感,長期暴露會導致降解,引入新的缺陷:


      • 水和氧會與鈣鈦礦反應生成 PbI?、PbO 等雜質相,這些雜質相不僅本身無發光特性,還會在界面形成缺陷,促進非輻射復合;

      • 長時間光照可能引發光致降解(如 A 位陽離子揮發、晶格畸變),增加缺陷密度,導致 PLQY 持續下降。


      四、器件結構優化:間接調控 PLQY 的手段

      1. 鈍化層設計

      • 表面鈍化:通過引入有機分子(如 PEA?、DMSO)或無機鹽(如 CsI、RbCl),填補表面缺陷(如配位未飽和的 Pb2?),減少表面非輻射復合;

      • 體相鈍化:在鈣鈦礦前驅體中摻雜少量鈍化劑(如胍鹽、硫脲),抑制體相缺陷形成,提升整體 PLQY。

      2. 電荷傳輸層質量

      • 電荷傳輸層的導電性和缺陷密度會影響載流子的提取效率:若傳輸層電阻過高或存在缺陷,載流子在鈣鈦礦層內的停留時間延長,非輻射復合概率增加,PLQY 降低;

      • 例如:高質量的 TiO? ETL(結晶好、缺陷少)可快速提取電子,減少鈣鈦礦層內電子 - 空穴復合,提高 PLQY。

      總結

      PLQY 的核心影響因素可歸納為:缺陷態(濃度與類型)結晶與界面質量載流子復合動力學(受激發條件和溫度調控)以及環境穩定性。其中,缺陷控制(通過材料合成優化、鈍化處理)是提升 PLQY 的關鍵 —— 因為非輻射復合主要由缺陷主導。


      在鈣鈦礦太陽能電池研究中,高 PLQY光致發光量子產率 通常對應低非輻射復合損失,是器件高效光伏性能(如高 EQE、高開路電壓)的重要標志!!!



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