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      kSA BandiT實時襯底溫度測試儀

      描述:kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統,采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化,實時測量晶片/襯底的溫度;并且kSA BandiT 已經成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上,實現了晶片的溫度實時檢測。

      更新時間:2024-07-04
      產品型號:
      廠商性質:代理商
      詳情介紹
      品牌其他品牌價格區間面議
      儀器種類多通道產地類別進口
      應用領域醫療衛生,生物產業,農林牧漁,地礦,能源

      kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統,采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化,實時測量晶片/襯底的溫度;并且kSA BandiT 已經成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上,實現了晶片的溫度實時檢測。

      kSA BandiT多晶片溫度監控軟件結合了自動伺服馬達控制的掃描檢測功能,從而實現了MBE外延薄膜生長過程中多襯底溫度實時Mapping檢測。

      該系統在外延薄膜生長過程提供襯底/晶片實時的二維溫度信息的系統。對Wafer(及薄膜)表面溫度實時、非接觸、非入侵的直接檢測;采用溫度和半導體材料對光的吸收邊(譜帶能量)相關性原理,即材料的本征特性,使得測量結果更為準確;可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發系統等和熱處理、退火設備上,進行實時溫度檢測。


      kSA BandiT實時襯底溫度測試儀

      技術參數:
       溫度范圍:室溫~1300攝氏度;
       溫度重復性:0.2攝氏度;
       溫度分辨率:0.1攝氏度;
       穩定性:+/-0.2攝氏度;


      主要特點:
          *實時、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監測;
          *多基片/晶片表面2D溫度Mapping監測;
          *真實的Wafer表面或薄膜溫度監測;
          *整合了新的黑體輻射監測技術;
          *沉積速率和薄膜厚度分析;
          *表面粗糙度分析功能;
          *測量波長范圍可選(例如:可見光波段、近紅外波段等)
          *避免了發射率變化對測量的影響;
          *無需沉積設備Viewport特殊涂層;


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