臺式無掩膜光刻系統

臺式無掩膜光刻系統

品牌：Nanyte

產地：新加坡

NANYTE BEAM 臺式無掩膜光刻系統Maskless lithography System/桌面型激光直寫系統Direct Laser Writing System加工處理微納米級的結構圖案，無需昂貴的掩膜，通過聚焦激光束掃描對基片表面的光刻膠直接進行變劑量曝光，實現微米至納米尺度的圖案加工。在確保其優異性能的同時，小型化設計使得操作更為便捷，且實現快速加工處理，不但提高了微納米器件科研和生產的效率，還有效的節省了成本。

光束引擎將紫外激光束聚焦到衍射極限點，通過該聚焦點依照設計好的圖案掃描對光刻膠進行曝光；同時，針對大尺寸晶圓/基片，通過精密步進器移動晶圓/基片進行多次曝光，接著縫合多次曝光圖案，完成對整個晶圓/基片的微納米圖案加工。該光束引擎能夠在6英寸晶圓上加工小于500nm的特征線寬。

lCompact.

-緊湊式全功能無掩膜光刻機

lPowerful.

-小于500nm特征線寬處理

-實現2秒內完成單個區域圖案曝光

-加工尺寸150mmX150mm

lUltrafast autofocus.

-實現1秒內完成聚焦

-壓電驅動器配合閉環聚焦光學控制

lNo-fuss multilayer.

-幾分鐘內實現半自動多層對準

軟件控制界面：

-軟件界面人性化設計，WASD導航，右鍵點擊任何地方即可到達

-自動圖像識別

-幾分鐘內實現多層對準

-幾秒鐘內在光刻膠上曝光任何圖案或書寫任何文字

-只需加載、對準和曝光

-類似CNC導航操作

-多層曝光時，GDS圖案可視化；軟件會加載GDS小地圖，一鍵導航到晶圓上任何區域

應用實例：

硅襯底上圖案陣列，每個單元為50×63μm，

相鄰圖案之間的間距為3μm

光刻膠：AZ5214E

開環諧振器陣列, 右側離距離1.5μm

左側的分離距離為2μm，外圈直徑為80μm

交叉電容器 (IDCs) ，2 μm柵線寬度

光刻膠: AZ5214E

金屬化開環非對稱諧振器

0.8μm錐形部分，側面20?90μm接觸電極

光刻膠：AZ5214E

應用領域：

• 光子學領域：用于制造光子晶體、波導、微透鏡、衍射光學元件等，這些元件在光通信、光計算、光學成像等領域有著廣泛的應用。例如，制造具有特定光學性能的微透鏡陣列，可用于成像系統、光傳感器等設備中，提高其性能和集成度。

• 生物醫學領域：可用于制備組織工程支架、微流控芯片、生物傳感器等。

• 微電子學領域：在集成電路制造中，用于制作掩模、光刻膠圖案等，特別是對于小批量、高精度的集成電路芯片制造，激光直寫技術具有成本低、靈活性高的優勢。此外，還可用于制造微機電系統（MEMS）器件，如微機械結構、微傳感器、微執行器等。